IRF7313TRPBF vs IRF7317PBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7313TRPBF et IRF7317PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Discontinued at Digi-Key
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.5A
6.6A, 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
33nC @ 10V
27nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650pF @ 25V
900pF @ 15V
Power - Max
2W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
