IRF7304TRPBF vs IRF7319PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7304TRPBF et IRF7319PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7304TRPBF

+Nomenclature

6900 PCS | Technologie Infineon
IRF7319PBF

+Nomenclature

5795 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Last Time Buy Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22nC @ 4.5V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 610pF @ 15V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.3A -
Modèle de comparaison : IRF7304TRPBF IRF7319PBF

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