IRF7313TRPBF vs IRF7309QTRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7313TRPBF et IRF7309QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.5A
4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
33nC @ 10V
25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650pF @ 25V
520pF @ 15V
Power - Max
2W
1.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
