IRF7304TRPBF vs IRF7341QTRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7304TRPBF et IRF7341QTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7304TRPBF

+Nomenclature

6900 PCS | Technologie Infineon
IRF7341QTRPBF

+Nomenclature

6461 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.3A 5.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22nC @ 4.5V 44nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 610pF @ 15V 780pF @ 25V
Power-Max 2W 2.4W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modèle de comparaison : IRF7304TRPBF IRF7341QTRPBF

+Nomenclature Demande de devis