IRF7240TRPBF vs IRF7240PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7240PBF et IRF7240TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7240PBF

+Nomenclature

2318 PCS | Technologie Infineon
IRF7240TRPBF

+Nomenclature

7445 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10.5A (Ta) 10.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 15mOhm @ 10.5A, 10V 15mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9250 pF @ 25 V 9250 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7240PBF IRF7240TRPBF

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