IRF7204TRPBF vs IRF7201TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7201TRPBF et IRF7204TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF7201
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
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P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
5.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
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60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
25 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
860 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
