IRF530NSTRLPBF vs IRF530NPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF530NSTRLPBF et IRF530NPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-263-3
TO-220
Description
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
17A (Tc)
17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 9A, 10V
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
37 nC @ 10 V
37 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
920 pF @ 25 V
920 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
3.8W (Ta), 70W (Tc)
70W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Through Hole
