IRF530NSTRLPBF vs IRF5305STRLPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF530NSTRLPBF et IRF5305STRLPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-263-3
TO-263-3
Description
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
17A (Tc)
31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 9A, 10V
60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
37 nC @ 10 V
63 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
920 pF @ 25 V
1200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
3.8W (Ta), 70W (Tc)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
