IRF530NSTRLPBF vs IRF5305STRLPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF530NSTRLPBF et IRF5305STRLPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF530NSTRLPBF IRF5305STRLPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 17A (Tc) 31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 9A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 920 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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