IR2110STRPBF vs IR2112S Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IR2112S et IR2110STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2112S

+Nomenclature

4810 PCS | Technologie Infineon
IR2110STRPBF

+Nomenclature

1823 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 16W
Description IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2112 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 2A, 2A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 500 V
Rise / Fall Time(Typ) - 25ns, 17ns
Modèle de comparaison : IR2112S IR2110STRPBF

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