IR2113PBF vs IR2111

Cette comparaison détaillée des composants IR2113PBF et IR2111 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2113PBF

+Nomenclature

7002 PCS | Technologie Infineon
IR2111

+Nomenclature

5050 PCS | Technologie Infineon
Package 14-DIP DIP-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 250mA, 500mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IR2113PBF IR2111

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