IR2110PBF vs IR2113PBF

Cette comparaison détaillée des composants IR2110PBF et IR2113PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2110PBF

+Nomenclature

2445 PCS | Technologie Infineon
IR2113PBF

+Nomenclature

7002 PCS | Technologie Infineon
Package DIP-14 14-DIP
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IR2110PBF IR2113PBF

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