FDY3000NZ vs FDY302NZ Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants FDY302NZ et FDY3000NZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDY302NZ

+Nomenclature

2866 PCS | Semi - conducteurs
FDY3000NZ

+Nomenclature

6144 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
Package SOT-523-3 SOT-563
Description MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA (Ta) 600mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V 1.1nC @ 4.5V
Vgs(Max) ±12V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60 pF @ 10 V 60pF @ 10V
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Feature - Logic Level Gate
Power - Max - 446mW
Modèle de comparaison : FDY302NZ FDY3000NZ

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