FDY3000NZ vs FDY300NZ Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants FDY3000NZ et FDY300NZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDY3000NZ

+Nomenclature

6144 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
FDY300NZ

+Nomenclature

3484 PCS | Semi - conducteurs
Package SOT-563 SOT-523-3
Description SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA 600mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 1.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60pF @ 10V 60 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) - 625mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 446mW -
Modèle de comparaison : FDY3000NZ FDY300NZ

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