FDY302NZ vs FDY3001NZ

Cette comparaison détaillée des composants FDY302NZ et FDY3001NZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDY302NZ FDY3001NZ
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA (Ta) 200mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 600mA, 4.5V 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V 1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60 pF @ 10 V 60pF @ 10V
Power - Max - 446mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Vgs(Max) ±12V -
Power Dissipation (Max) 625mW (Ta) -
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