FDS9958 vs FDS9953A
Cette comparaison détaillée des composants FDS9958 et FDS9953A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
Description
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
185pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS99
ProductStatus
Active
-
FETType
2 P-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.9A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 30V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
Connexes
4987 PCS
