FDS9945 vs FDS9953A

Cette comparaison détaillée des composants FDS9945 et FDS9953A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDS9945

+Nomenclature

1737 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
FDS9953A

+Nomenclature

6120 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC-8
Description SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 185pF @ 15V
Power - Max - 900mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - FDS99
ProductStatus Active -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A (Ta) -
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 3.5A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13nC @ 5V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 420pF @ 30V -
Power-Max 1W (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Modèle de comparaison : FDS9945 FDS9953A

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