FDS8949 vs FDS8935

Cette comparaison détaillée des composants FDS8949 et FDS8935 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDS8949

+Nomenclature

6681 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
FDS8935

+Nomenclature

6715 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 80V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A 2.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 10V 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 5V 19nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 955pF @ 20V 879pF @ 40V
Power-Max 2W 1.6W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDS8949 FDS8935

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