FDS8949 vs FDS8928A
Cette comparaison détaillée des composants FDS8949 et FDS8928A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
11nC @ 5V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
955pF @ 20V
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Power-Max
2W
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
-
