FDS8958B vs FDS8949
Cette comparaison détaillée des composants FDS8949 et FDS8958B vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
6.4A, 4.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 10V
26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
11nC @ 5V
12nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
955pF @ 20V
540pF @ 15V
Power-Max
2W
900mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
