FDMC86259P vs FDMC8032L

Cette comparaison détaillée des composants FDMC86259P et FDMC8032L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDMC86259P FDMC8032L
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
Base Product Number FDMC86259 -
FET Type P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta), 13A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±25V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 75 V -
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 62W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 7A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 11nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 720pF @ 20V
Power - Max - 1.9W
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