FDG6306P vs FDG6321C

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Spécifications
FDG6321C

+Nomenclature

12407 PCS | Semi - conducteurs
FDG6306P

+Nomenclature

20835 PCS | Semi - conducteurs
Package 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Description MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 500mA, 410mA 600mA
RdsOn(Max)@IdVgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.3nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 10V 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
Modèle de comparaison : FDG6321C FDG6306P

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