FDG6303N vs FDG6301N

Cette comparaison détaillée des composants FDG6303N et FDG6301N vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6303N FDG6301N
Part Status Obsolete Obsolete
Base Product Number FDG6303 FDG6301
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Compare Demande de devis