FDG6301N vs FDG6313N
Cette comparaison détaillée des composants FDG6301N et FDG6313N vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
Description
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
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Active
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6301
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 N-Channel (Dual)
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
220mA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
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Power - Max
300mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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