FDG6303N vs FDG6313N

Cette comparaison détaillée des composants FDG6303N et FDG6313N vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDG6303N FDG6313N
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDG6303 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V -
Power - Max 300mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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