FDG6301N vs FDG6322C_D87Z Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants FDG6301N et FDG6322C_D87Z vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SC-88
Description
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier
-
onsemi
Part Status
Obsolete
Obsolete
FET Type
-
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
220mA, 410mA
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
9.5pF @ 10V
Power - Max
300mW
300mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
FDG6301
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
220mA
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
