FDC658AP vs FDC653N
Cette comparaison détaillée des composants FDC653N et FDC658AP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SSOT-6
SSOT-6
Description
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5A (Ta)
4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
35mOhm @ 5A, 10V
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
17 nC @ 10 V
8.1 nC @ 5 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
350 pF @ 15 V
470 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
1.6W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
PowerTrench®
