FDC6561AN vs FDC658AP
Cette comparaison détaillée des composants FDC658AP et FDC6561AN vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SSOT-6
SSOT-6
Description
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4A (Ta)
2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4A, 10V
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1 nC @ 5 V
3.2nC @ 5V
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
470 pF @ 15 V
220pF @ 15V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
700mW
