DGD2190MS8-13 vs DGD2117S8-13 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants DGD2190MS8-13 et DGD2117S8-13 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
High-Side
Channel Type
Independent
Single
Number of Drivers
2
1
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
4.5A, 4.5A
290mA, 600mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
25ns, 20ns
75ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TA)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
