DGD2190MS8-13 vs DGD2106MS8-13

Cette comparaison détaillée des composants DGD2190MS8-13 et DGD2106MS8-13 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification DGD2190MS8-13 DGD2106MS8-13
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.6V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.5A, 4.5A 290mA, 600mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 20ns 100ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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