CSD17310Q5A vs CSD17573Q5B
Cette comparaison détaillée des composants CSD17573Q5B et CSD17310Q5A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
100A (Ta)
21A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs
1mOhm @ 35A, 10V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
1.8V @ 250µA
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
64 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
+10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
9000 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
3.1W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
