CSD17310Q5A vs CSD17308Q3
Cette comparaison détaillée des composants CSD17308Q3 et CSD17310Q5A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
14A (Ta), 44A (Tc)
21A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
3V, 8V
3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs
10.3mOhm @ 10A, 8V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
1.8V @ 250µA
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
+10V, -8V
+10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
700 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.7W (Ta)
3.1W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
