CSD17573Q5B vs CSD17308Q3

Cette comparaison détaillée des composants CSD17573Q5B et CSD17308Q3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD17573Q5B

+Nomenclature

2605 PCS | Texas Instruments
CSD17308Q3

+Nomenclature

5348 PCS | Texas Instruments
Package TDFN-8 TDFN-8
Description MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 100A (Ta) 14A (Ta), 44A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs 1mOhm @ 35A, 10V 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 64 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9000 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 2.7W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : CSD17573Q5B CSD17308Q3

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