CSD16321Q5 vs CSD16415Q5

Cette comparaison détaillée des composants CSD16321Q5 et CSD16415Q5 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD16321Q5 CSD16415Q5
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Ta), 100A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 3V, 8V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +10V, -8V +16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V 4100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta) 3.2W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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