CSD16340Q3 vs CSD16321Q5 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants CSD16340Q3 et CSD16321Q5 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
21A (Ta), 60A (Tc)
31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 8V
3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4.5mOhm @ 20A, 8V
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.1V @ 250µA
1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
9.2 nC @ 4.5 V
19 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
+10V, -8V
+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1350 pF @ 12.5 V
3100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max)
3W (Ta)
3.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
