CSD16570Q5B vs CSD16321Q5

Cette comparaison détaillée des composants CSD16570Q5B et CSD16321Q5 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD16570Q5B CSD16321Q5
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Ta) 31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14000 pF @ 12 V 3100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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