CSD16409Q3 vs CSD16401Q5
Cette comparaison détaillée des composants CSD16401Q5 et CSD16409Q3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
25 V
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
15A (Ta), 60A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
1.6mOhm @ 40A, 10V
8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1.9V @ 250µA
2.3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
29 nC @ 4.5 V
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
+16V, -12V
+16V, -12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4100 pF @ 12.5 V
800 pF @ 12.5 V
PowerDissipation(Max)
3.1W (Ta)
2.6W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
