CSD16409Q3 vs CSD16413Q5A

Cette comparaison détaillée des composants CSD16413Q5A et CSD16409Q3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD16413Q5A

+Nomenclature

3989 PCS | Texas Instruments
CSD16409Q3

+Nomenclature

6361 PCS | Texas Instruments
Package TDFN-8 TDFN-8
Description MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 24A (Ta), 100A (Tc) 15A (Ta), 60A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.9mOhm @ 24A, 10V 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1.9V @ 250µA 2.3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11.7 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +16V, -12V +16V, -12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1780 pF @ 12.5 V 800 pF @ 12.5 V
PowerDissipation(Max) 3.1W (Ta) 2.6W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : CSD16413Q5A CSD16409Q3

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