BAS16HT3G vs BAS16WE6433HTMA1

Cette comparaison détaillée des composants BAS16HT3G et BAS16WE6433HTMA1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BAS16HT3G BAS16WE6433HTMA1
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 80 V
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) 250mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 6 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 75 V 1 µA @ 75 V
Capacitance @ Vr F 2pF @ 0V, 1MHz 2pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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