BAS16HT3G vs BAS16UE6727HTSA1

Cette comparaison détaillée des composants BAS16HT3G et BAS16UE6727HTSA1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BAS16HT3G BAS16UE6727HTSA1
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Last Time Buy
Diode Configuration - 3 Independent
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 100mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.2 V @ 100 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 6 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 75 V 1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction - 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) -
Capacitance @ Vr F 2pF @ 0V, 1MHz -
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