BAS16HT3G vs BAS1602WH6327XTSA1 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants BAS16HT3G et BAS1602WH6327XTSA1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
BAS16HT3G

+Nomenclature

6245 PCS | Semi - conducteurs
BAS1602WH6327XTSA1

+Nomenclature

9993 PCS | Technologie Infineon
Package SOD-323 SC-80
Description DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 80 V
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 6 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 75 V 1 µA @ 75 V
Capacitance @ Vr F 2pF @ 0V, 1MHz 2pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : BAS16HT3G BAS1602WH6327XTSA1

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