2N7002K-T1-GE3 vs 2N7002CK

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002K-T1-GE3 et 2N7002CK vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002K-T1-GE3 2N7002CK
Part Status Active Active
Series TrenchFET® -
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 25 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare Demande de devis