2N7002L vs 2N7002K-T1-GE3

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002L et 2N7002K-T1-GE3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 2N7002L 2N7002K-T1-GE3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 115mA (Ta) 300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - TrenchFET®
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.6 nC @ 4.5 V
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