SI8900EDB-T2-E1

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SI8900EDB-T2-E1

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

  • FabricantSiliconix

  • Pièce fabricant #SI8900EDB-T2-E1

  • Package UFBGA-10

  • En stock2692

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.4A
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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