SI7958DP-T1-GE3

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SI7958DP-T1-GE3

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 16.5mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Power - Max 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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