SI5980DU-T1-GE3

Images à titre indicatif uniquement

SI5980DU-T1-GE3

+Nomenclature

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.3nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 78pF @ 50V
Power - Max 7.8W
Mounting Type Surface Mount

Produits liés à SI5980DU-T1-GE3