SI4500BDY-T1-E3

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SI4500BDY-T1-E3

+Nomenclature

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

  • FabricantSiliconix

  • Pièce fabricant #SI4500BDY-T1-E3

  • Package SOIC-8

  • En stock4192

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.6A, 3.8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Power - Max 1.3W
Mounting Type Surface Mount

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