SI3909DV-T1-E3

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SI3909DV-T1-E3

+Nomenclature

MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

  • FabricantSiliconix

  • Pièce fabricant #SI3909DV-T1-E3

  • Package TSOT-23-6

  • En stock2707

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 200mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 500mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Power - Max 1.15W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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