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G4S12020D
+NomenclatureSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
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FabricantGPT pour Global Power Technology
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Pièce fabricant #G4S12020D
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Fiche technique G4S12020D DataSheet
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En stock8111
365 Garantie qualité 24h/24
7*24 Garantie de service 24h/24
90-Garantie après-vente 24h/24
Garantie produit authentique
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 75A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 2600pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | TO-263 |
