G3S12002H

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G3S12002H

+Nomenclature

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI

  • FabricantGPT pour Global Power Technology

  • Pièce fabricant #G3S12002H

  • Package TO-220-2 Full Pack

  • En stock9179

365 Garantie qualité 24h/24

7*24 Garantie de service 24h/24

90-Garantie après-vente 24h/24

Garantie produit authentique

Spécifications

Attribut Valeur
Supplier Global Power Technology-GPT
Package Cut Tape (CT),Tape & Box (TB)
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1200 V
Current-AverageRectified(Io) 7.3A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 2 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 50 µA @ 1200 V
Capacitance@VrF 136pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-220-2 Full Pack
SupplierDevicePackage TO-220F