VS-40TPS12-M3 vs VS-40TPS08APBF

Cette comparaison détaillée des composants VS-40TPS12-M3 et VS-40TPS08APBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification VS-40TPS12-M3 VS-40TPS08APBF
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Part Status Active Obsolete
Voltage - Off State 1.2 kV 800 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) 2.5 V 2.5 V
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) 150 mA 150 mA
Voltage - On State(Vtm)(Max) 1.85 V 1.85 V
Current - On State(It(AV))(Max) 35 A 35 A
Current - On State(It(RMS))(Max) 55 A 55 A
Current - Hold(Ih)(Max) 200 mA 150 mA
Current - Off State(Max) 500 µA 500 µA
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm) 500A @ 50Hz 600A @ 50Hz
SCR Type Standard Recovery Standard Recovery
Operating Temperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
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